晶間腐蝕的控制方法如下:1。減少或消除有害雜質。如降低碳、氮、硫等雜質的含量。加入穩(wěn)定元素或晶界吸附元素。如在不銹鋼中加入Ti, Nb或B。適當的熱處理工藝。3.必須避免在敏化區(qū)加熱不銹鋼。焊件應在焊后進行固溶處理或快速冷卻，以避免停留在敏化溫度和時間。4. 采用雙相鋼。奧氏體鋼中含有10 ~ 20%鐵素體的鋼稱為雙相鋼。由于鐵素體在鋼中主要沿晶界形成，鉻含量高，在敏化溫度范圍內不會產生嚴重的稀釋。

目前，為解決硝酸在使用過程中的非敏化晶間腐蝕問題，主要選用高硅(Si ~ 4%)不銹鋼0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。